型号
  • 型号
  • 替代
  • 参数
  • 芯片打字
  • IGBT
  • 其它
  • 更多>
  位置:首页 >  光耦资料>> 工业自动化光耦应用方案 >>东芝IGBT/MOSFET栅极驱动光耦的特点

东芝IGBT/MOSFET栅极驱动光耦的特点

来源:作者:2016-08-01点击:326
  • 过电流保护(VCE(sat)detection)和有源米勒箝位

  • 轨对轨输出

  • 欠电压锁定(UVLO)

1.结合高输出电流与低功耗

东芝提供的TLP5214智能栅极驱动光耦结合了VCE(sat)和有源米勒箝位功能,专门设计用于保护IGBT免于过电流的情况。VCE(sat)检测电路负责监测IGBT的VCE(sat)电压,如果发现存在过电流的情况即执行IGBT的软关闭。它也传递故障信号至控制器。米勒箝位电路将抑制栅极电压增加,进而通过光耦将米勒电流旁路接地而免于IGBT故障。另外,TLP5214提供轨对轨输出、欠压锁定(UVLO)和其它特性,相比于之前所要求的部件而言可减少外部组件的使用数量。这有助于降低物料清单(BOM)成本和板尺寸。

img_igbtMosfet_02e_1 

TLP358H中的光电探测器芯片

该光电探测器芯片采用BiCD工艺制成,其输出电流高达6.0A而且具有至多2.0mA的低功耗特性(TLP358H)。具有峰值输出电流6.0A的光耦可以直接驱动1200V/200A级别的IGBT。低功耗的特点有助于减小逆变器等产品的高边自举电容器大小。

2.共模瞬变抑制

img_feature_02E 

开关波形@VCC=30V,IOP=100mA

通常,IGBT驱动光耦的高电平输出电压略低于电源电压。相比之下,RRO光耦提供从地面到接近电源电压的全摆幅输出。轨对轨输出有助于降低光耦和IGBT在开关过程中的功率损失。
上表中标记有TLP5751TLP5752TLP5754TLP5214属于RRO光耦。

如果光耦的输入和输出电压dv/dt之比过大,逆变器电路可能无法正常工作。在输入和输出电压间增加屏蔽和将电流接地可改进光耦的共模抑制。为了向IGBT/MOSFET直接栅极驱动提供足够的共模抑制,东芝的多数IGBT栅极驱动光耦在光电探测器芯片中有一个屏蔽层。特别是TLP250H它可保证高达40kV/µs共模抑制。

 

3.欠电压锁定(UVLO)

东芝的多数IGBT/MOSFET栅极驱动光耦具有一个UVLO电路以防止低电压区发生故障。UVLO电路保持低的输出电压,直至电源电压(VCC)超过UVLO的上升阈值,以此防止光耦发生输出故障和由此导致的驱动IGBT/MOSFET故障。

  • 部分逆变器电路

img_igbtMosfet_03e 

  • TLP352 UVLO操作

img_igbtMosfet_04e

填写您的邮件地址,订阅我们的精彩内容:
上一篇:东芝推出配置Delta-Sigma AD转换器的高精度光耦隔离放大器
下一篇:(东芝产品)汽车充电桩解决方案